特許

J-GLOBAL ID：200903094054611498

熱型赤外線センサ

発明者： 内田 誠
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 本庄 伸介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-150086
公開番号（公開出願番号）：特開平8-015008
出願日： 1994年06月30日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】 熱型赤外線センサのダイアフラムに使う窒化シリコン膜をパタニングすることで、ダイアフラム強度を低下させることなく、薄膜の熱アイソレーションを向上させる。【構成】 犠牲層(ポリシリコン3)上に成膜した酸化シリコン膜4の上に、更に窒化シリコン膜5を成長させ、窒化シリコン膜5をパタニングする。窒化シリコン膜5は薄膜の中央部にあって、ヒートシンク(シリコン基板1)とは熱的に分離している。

請求項（抜粋）：

金属又は半導体の内の少なくとも一方でなるパターンを支持し、半導体のエッチング液に対し耐腐食性をもつ絶縁性の薄膜と、前記薄膜上にある赤外線吸収率の高い吸収層と、前記薄膜を周囲から支持している半導体基板とからなるダイアフラム構造を有する熱型赤外線センサにおいて、前記薄膜が、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜とを含む多層膜でなり、前記窒化シリコン膜は、前記ダイヤフラム構造における上部構造だけに設けられ、パタニングされていることを特徴とする熱型赤外線センサ。

IPC (2件)：

G01J 1/02 ,  H01L 31/10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-360588
  
• 赤外線センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-310187   出願人：日本電気株式会社