特許
J-GLOBAL ID：200903094058941913
半導体ウエハ保持シート及び半導体チップ形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤本 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-143311
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321563
出願日： 1997年05月16日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウエハをダイシング処理する際の切断面の欠けが発生しにくい半導体ウエハ保持シートを得ること。【解決手段】 エネルギー線の照射により20°Cにおける貯蔵弾性率が1×108〜1×1011dyn/cm2の硬化状態を形成する粘着層を支持シートに付設してなる半導体ウエハ保持シート、及びその保持シートにおける粘着層を介して半導体ウエハを接着保持したのち、その粘着層をエネルギー線の照射により前記貯蔵弾性率の状態に硬化処理し、ついで前記の半導体ウエハを所定のチップサイズにダイシングする半導体チップ形成方法。【効果】 回転刃の目詰りやチップの振動を抑制してダイシングの際の切断面の欠けを防止でき、チップの歩留まりが大幅に向上する。
請求項（抜粋）：
エネルギー線の照射により20°Cにおける貯蔵弾性率が1×108〜1×1011dyn/cm2の硬化状態を形成する粘着層を支持シートに付設してなることを特徴とする半導体ウエハ保持シート。
IPC (5件)：
H01L 21/301
, B65D 85/86
, B65H 37/04
, C09J 7/02
, C09J 9/00
H01L 21/78 M
, B65H 37/04 A
, C09J 7/02 Z
, C09J 9/00
, B65D 85/38 N
