特許

J-GLOBAL ID：200903094067000315

半導体装置

発明者： 野中 義法
出願人/特許権者： 株式会社豊田自動織機
代理人 (1件)： 大菅 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-122628
公開番号（公開出願番号）：特開2007-294766
出願日： 2006年04月26日
公開日（公表日）： 2007年11月08日
要約：

【課題】耐圧低下を緩和しつつ、小型化が可能な半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】n型の半導体基板4と、半導体基板4上に形成されるp型の半導体層5と、半導体層5の表面部分に形成されるn型の半導体領域6と、半導体領域6の表面から半導体基板4まで形成されるトレンチ7と、トレンチ7内に形成されるゲート電極9と、トレンチ7と隣のトレンチ7との間において、半導体層5の表面から半導体層5内の底部付近まで形成されるトレンチ13と、トレンチ13の底部から半導体基板4まで形成されるp型の半導体領域14とを備えて半導体装置1を構成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型からなる半導体基板と、 前記半導体基板の一方面に形成され、第2導電型からなる半導体層と、 前記半導体層の表面部分に形成され、前記第1導電型からなる第1の半導体領域と、 前記第1の半導体領域の表面から前記半導体基板まで形成され、内部にゲート電極が形成される第1のトレンチと、 前記第1のトレンチと隣の第1のトレンチとの間において、前記半導体層の表面から前記半導体層内の底部付近まで形成される第2のトレンチと、 前記第2のトレンチの底部から前記半導体基板まで形成され、前記第2導電型からなる第2の半導体領域と、 を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 29/78

FI (2件)：

H01L29/78 652D ,  H01L29/78 653C

引用特許：

出願人引用 (1件)

• トレンチ接触法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-184988   出願人：ハリス・コーポレーション