特許
J-GLOBAL ID:200903094088212029
レジスト材料及びパターン形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小島 隆司 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-302948
公開番号(公開出願番号):特開2001-125271
出願日: 1999年10月25日
公開日(公表日): 2001年05月11日
要約:
【要約】【解決手段】 下記の繰り返し単位を有する重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物をベース樹脂として含有するレジスト材料。【化1】(式中、R1は水素原子、メチル基又はCO2R2を示す。R2はアルキル基を示す。R3は水素原子、メチル基又はCH2CO2R2を示す。R4は酸不安定基を示す。iは1〜4の整数である。kは0又は1である。)【効果】 本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、エッチング耐性に優れているため、電子線や遠紫外線による微細加工に有用である。特にArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいため、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成することができるという特徴を有する。
請求項(抜粋):
下記一般式(1-1)又は(1-2)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物をベース樹脂として含有することを特徴とするレジスト材料。【化1】(式中、R1は水素原子、メチル基又はCO2R2を示す。R2は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R3は水素原子、メチル基又はCH2CO2R2を示す。R4は酸不安定基を示す。iは1〜4の整数である。kは0又は1である。)
IPC (4件):
G03F 7/039 601
, G03F 7/004 503
, H01L 21/027
, C08F 32/08
FI (4件):
G03F 7/039 601
, G03F 7/004 503 A
, C08F 32/08
, H01L 21/30 502 R
Fターム (55件):
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA09
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC06
, 2H025AC08
, 2H025AD01
, 2H025AD03
, 2H025BE05
, 2H025BE07
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB06
, 2H025CB41
, 2H025CB43
, 2H025CB45
, 2H025CB52
, 2H025CB56
, 4J100AK32Q
, 4J100AR09P
, 4J100AR09Q
, 4J100AR11P
, 4J100AR11Q
, 4J100AR21P
, 4J100BA02P
, 4J100BA03P
, 4J100BA04P
, 4J100BA12P
, 4J100BA14P
, 4J100BA15P
, 4J100BA16P
, 4J100BA20P
, 4J100BA20Q
, 4J100BA29P
, 4J100BA30P
, 4J100BA40P
, 4J100BA51P
, 4J100BA52P
, 4J100BA53P
, 4J100BA56P
, 4J100BC03P
, 4J100BC04P
, 4J100BC07P
, 4J100BC08P
, 4J100BC09P
, 4J100BC43P
, 4J100BC48P
, 4J100BC49P
, 4J100BC55P
, 4J100BC58P
, 4J100CA01
, 4J100CA04
, 4J100DA01
, 4J100JA38
引用特許:
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