特許
J-GLOBAL ID：200903094093439910

プラズマ処理装置

発明者：
佐々木 和男

佐々木 和男 について

, 
南 雅人

南 雅人 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-010576
公開番号（公開出願番号）：特開2008-177428
出願日： 2007年01月19日
公開日（公表日）： 2008年07月31日
要約：
【課題】角型基板をプラズマ処理する平行平板型プラズマ処理装置において、上部電極の温度制御性が良好で安定した処理を行うことのできるプラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】基板に前記処理ガスを供給するための多数のガス供給孔を備え、前記下部電極に対向して設けられた板状の上部電極と、上部電極を覆い、その上部電極との間に前記ガス供給孔に連通した処理ガスの拡散空間を形成する上部電極ベースと、この上部電極ベースの内周面により囲まれる領域内に設けられ、上部電極の上面と上部電極ベースの下面とを接続する接続部材と、前記上部電極ベースに設けられ、上部電極を温調するための温調流体が通流する流体流路と、を備えるようにプラズマ処理装置を構成する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
処理容器内に処理ガスを供給してプラズマ化し、そのプラズマにより基板を処理するプラズマ処理装置において、 前記処理容器内に設けられ、基板が載置される下部電極と、 前記基板に前記処理ガスを供給するための多数のガス供給孔を備え、前記下部電極に対向して設けられた板状の上部電極と、 前記上部電極の上面側を覆い、その上部電極との間に前記ガス供給孔に連通した処理ガスの拡散空間を形成する上部電極ベースと、 この上部電極ベースの内周面により囲まれる領域内に設けられ、上部電極の上面と上部電極ベースの下面とを接続する接続部材と、 前記上部電極ベースに設けられ、上部電極を温調するための温調流体が通流する流体流路と、 前記上部電極ベースに設けられ、前記拡散空間へ処理ガスを導入するガス供給路と、 上部電極と下部電極との間に高周波電力を供給して処理ガスをプラズマ化するための高周波電源と、 を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/306 ,  C23C 16/505 ,  H05H 1/46
FI (3件)：
H01L21/302 101B ,  C23C16/505 ,  H05H1/46 M
Fターム (12件)：
4K030FA03 ,  4K030KA14 ,  4K030KA30 ,  4K030LA18 ,  5F004AA01 ,  5F004BA06 ,  5F004BC03 ,  5F004CA02 ,  5F004DA04 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26 ,  5F004DB02
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (5件)
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