特許
J-GLOBAL ID：200903094096983360
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
工藤 実 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-119513
公開番号（公開出願番号）：特開2000-311901
出願日： 1999年04月27日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：
【要約】【課題】SiGeスペーサ層7のアイディアを活用し、且つ、寄生障壁の発生を阻止することにより、理論通りのトランジスタ特性を持たせる。【解決手段】ボロンドーピング・多結晶シリコン層3とその裏面側の中間層に開口5を形成してシリコン基板層1の表面を露出させ、ボロンドーピング・多結晶シリコン層3の露出面7,8を第1被覆層9により被覆し、第1被覆層9が形成される時にシリコン基板層1の表面側に形成される第2被覆層11を除去し、シリコン基板層1の表面を熱処理により浄化し、シリコン基板層1の表面にSiGeスペーサ層13を形成し、SiGeスペーサ層13の表面側にSiGeベース層14を形成する。熱処理の時にはボロンドーピング・多結晶シリコン層3は被覆され、そこからボロンが飛散せず、シリコン基板面が清浄ので、そこの所に寄生障壁が発生することはなく、トランジスタの高速動作化を達成することができる。
請求項（抜粋）：
P型不純物含有・多結晶シリコン層と前記P型不純物含有・多結晶シリコン層の裏面側の中間層に開口を形成してシリコン基板層の表面を露出させること、前記P型不純物含有・多結晶シリコン層の露出面を第1被覆層により被覆すること、前記被覆により前記第1被覆層が形成される時にシリコン基板層の表面側に形成される第2被覆層を除去すること、前記除去により第2被覆層が除去されて形成される前記シリコン基板層の表面を熱処理により浄化すること、前記シリコン基板層の表面にSiGeスペーサ層を形成すること、前記SiGeスペーサ層の表面側にSiGeベース層を形成することとからなる半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
Fターム (12件)：
5F003AP04
, 5F003BA25
, 5F003BA96
, 5F003BB01
, 5F003BB07
, 5F003BE07
, 5F003BG05
, 5F003BM01
, 5F003BP41
, 5F003BP46
, 5F003BP93
, 5F003BP96
