磁気抵抗効果型デバイス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-029236
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228002
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：

【要約】【課題】電流をMR素子面に対し垂直に流して磁気変化を読取るデバイスで、MR素子の感度を向上させ、合わせてバルクハウゼン雑音対策も可能にする。【解決手段】MR素子を導電性の上部ギャップ部材及び下部ギャップ部材のそれぞれを介して上部シールド部と下部シールド部に電気的に接続して、電流が上記磁気抵抗効果素子の面に対して実質的に垂直に流れるように構成したデバイスであって、上記下部ギャップ部材はタンタルであり、該タンタルと上記下部シールド部は体心立方構造の膜部材を介して接合されている。所望により体心立方構造の膜部材上にハード膜を設けてバルクハウゼンノイズ対策とする。

請求項（抜粋）：

上部シールド部と下部シールド部との間のギャップに磁気抵抗効果素子を配設すると共に、該磁気抵抗効果素子を導電性の上部ギャップ部材及び下部ギャップ部材のそれぞれを介して上記上部シールド部と下部シールド部に電気的に接続して、電流が上記磁気抵抗効果素子の面に対して実質的に垂直に流れるように構成した磁気抵抗効果型デバイスであって、上記下部ギャップ部材はタンタルであり、該タンタルと上記下部シールド部は体心立方構造の膜部材を介して接合されている磁気抵抗効果型デバイス。

Fターム (6件)：

5D034BA03 , 5D034BA06 , 5D034BA08 , 5D034BA15 , 5D034BA30 , 5D034CA04

引用特許：

審査官引用 (5件)

薄膜磁気ヘッド
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-036767 出願人：松下電器産業株式会社
磁気抵抗効果型ヘッド及びディスク装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-059090 出願人：富士通株式会社
スピンバルブ型薄膜素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-312042 出願人：アルプス電気株式会社

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