半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-350646
公開番号（公開出願番号）：特開2006-013421
出願日： 2004年12月03日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：

【課題】ファインピッチ化および多ピン化に対応した実装技術、並びにその実装技術を用いた半導体装置を提供する。【解決手段】主面上の外周部に複数のバンプ2が配置された半導体チップ1Cと、COFテープに形成されたリード19bとが、複数のバンプ2を介して電気的に接続された半導体装置であって、複数のバンプ2は、チップ端側に配置された複数のバンプ2aと、チップ中心側に配置された複数のバンプ2bとが互いに千鳥配置されてなり、バンプ2bと接続されたリード19bは、バンプ2a間における幅が、リード19のバンプ2bと接続する部分における幅より狭い。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

半導体チップの主面上の外周部に沿って形成された複数のバンプと、前記半導体チップを搭載する実装基板上に形成された複数のリードとが、それぞれ電気的に接続された半導体装置であって、前記バンプは、チップ端側に配置された複数の第1バンプと、チップ中心側に配置された複数の第2バンプとが互いに千鳥配置されてなり、前記リードの延在方向に沿った前記バンプの両端部と重なる領域の前記リードの幅が、前記第1バンプ間における前記リードの幅より広いことを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 21/60

FI (2件)：

H01L21/60 311W , H01L21/60 311Q

Fターム (4件)：

5F044MM25 , 5F044MM48 , 5F044NN07 , 5F044QQ02

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-295503 出願人：株式会社ルネサステクノロジ, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ, 日立デバイスエンジニアリング株式会社

審査官引用 (1件)

液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-392324 出願人：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社

前のページに戻る