特許
J-GLOBAL ID：200903094156884359
光電変換装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-116667
公開番号（公開出願番号）：特開2008-277387
出願日： 2007年04月26日
公開日（公表日）： 2008年11月13日
要約：
【課題】 基板上に光閉じ込め効果に優れた光電変換装置用透明電極を安価に形成することができ、製造される薄膜光電変換装置の性能を改善できる方法を提供する。【解決手段】 「透光性絶縁基板上に、透明電極、少なくとも一つの結晶質光電変換ユニット、および裏面電極を順次積層する工程を含む光電変換装置の製造方法であって、該透明電極は、透光性絶縁基板側から順に、酸化亜鉛に不純物をドープした表面凹凸を有する第1透明電極層と、該第1透明電極層よりも高濃度で不純物をドープした酸化亜鉛を含む低抵抗第2透明電極層とを備え、該第1透明電極層を形成する工程と、該第2透明電極層を該第1透明電極層の堆積速度よりも半分以下の堆積速度で形成する工程と、を有することを特徴とする、光電変換装置の製造方法」で解決する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
透光性絶縁基板上に、透明電極、少なくとも一つの結晶質光電変換ユニット、および裏面電極を順次積層する工程を含む光電変換装置の製造方法であって、
該透明電極は、透光性絶縁基板側から順に、
酸化亜鉛に不純物をドープした表面凹凸を有する第1透明電極層と、
該第1透明電極層よりも高濃度で不純物をドープした酸化亜鉛を含む低抵抗第2透明電極層とを備え、
該第1透明電極層を形成する工程と、
該第2透明電極層を該第1透明電極層の堆積速度よりも半分以下の堆積速度で形成する工程と、
を有することを特徴とする、光電変換装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (14件)：
5F051AA04
, 5F051CA02
, 5F051CA03
, 5F051CA04
, 5F051CA15
, 5F051DA04
, 5F051FA02
, 5F051FA06
, 5F051FA13
, 5F051FA15
, 5F051FA18
, 5F051FA19
, 5F051FA22
, 5F051GA03
