特許
J-GLOBAL ID:200903063068142340
薄膜太陽電池用基板、及びその製造方法、並びにそれを用いた薄膜太陽電池
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-304970
公開番号(公開出願番号):特開2005-311292
出願日: 2004年10月19日
公開日(公表日): 2005年11月04日
要約:
【課題】 薄膜太陽電池用基板の凹凸を効果的に増大させて光閉込め効果を大きくすることで、薄膜太陽電池の性能を改善可能とする安価な薄膜太陽電池用基板、及びその製造方法で提供し、さらにその基板を用いた性能が改善された薄膜太陽電池を提供することである。【解決手段】 本発明の薄膜太陽電池用基板は、透光性絶縁基板とその上に堆積された少なくとも酸化亜鉛(ZnO)を含む透明電極層を有し、該透光性絶縁基板は該透明電極層側の界面に二乗平均平方根粗さ(RMS)が5〜50nmである微細な表面凹凸を有し、その凸部は曲面からなることを特徴とする。さらに、基板の凹凸の指標であるC光源を用いて測定した拡散透過率と全透過率の比であるヘイズ率が、20%以上にできるので、光閉じ込めを効果的に起こすことが出来、薄膜太陽電池の性能を向上することができる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
透光性絶縁基板、及び該透光性絶縁基板上に堆積された少なくとも酸化亜鉛を含む透明電極層からなる薄膜太陽電池用基板であって、該透光性絶縁基板は該透明電極層側の界面に二乗平均平方根粗さが5〜50nmである微細な表面凹凸を有し、その凸部は曲面からなることを特徴とする薄膜太陽電池用基板。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (10件):
5F051AA04
, 5F051CA02
, 5F051CA03
, 5F051CA04
, 5F051CA07
, 5F051CA15
, 5F051DA15
, 5F051FA02
, 5F051GA03
, 5F051GA06
引用特許:
出願人引用 (2件)
審査官引用 (8件)
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薄膜光電変換装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-041893
出願人:鐘淵化学工業株式会社
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光電変換素子及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-067312
出願人:シャープ株式会社
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太陽電池用基板および薄膜太陽電池
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-333718
出願人:独立行政法人産業技術総合研究所, シャープ株式会社, 松田彰久, 近藤道雄
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引用文献:
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