特許

J-GLOBAL ID：200903094157024108

ドライエッチング後の側壁残さを除去するための溶液および方法

発明者： リアウ、ミン-チ ,  チャオ、ティエン-シェン ,  レイ、タン-フ
出願人/特許権者： メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング
代理人 (1件)： 渡辺 勝 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-533981
公開番号（公開出願番号）：特表2000-508082
出願日： 1997年03月10日
公開日（公表日）： 2000年06月27日
要約：

【要約】本発明は、ドライエッチングプロセス後の側壁残さを除去する新規方法に関する。従来、ドライエッチング後、フォトレジストおよび側壁残さはオゾン灰化および熱硫酸により除去されている。通常、それらは完全に除去することが困難である。本発明において、フッ素含有化合物、好ましくは、フッ化水素およびフッ化アンモニウムを硫酸に添加すると、ストリッパーの必要なくフォトレジストおよび側壁残さが完全に除去されることが発見された。この方法は、単純で、最初の手順または基板上の他のフィルムに影響を与えない。本発明は、硫酸とフッ素含有化合物、好ましくはフッ化水素およびフッ化アンモニウムとを10:1〜1000:1重量比で含んでなる、ドライエッチング後の側壁残さを除去するための新規溶液にも関する。

請求項（抜粋）：

硫酸とフッ素含有化合物とを10:1〜1000:1重量比で含んでなる、ドライエッチング後の側壁残さを除去するための溶液。

IPC (4件)：

G03F 7/42 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/308

FI (4件)：

G03F 7/42 ,  H01L 21/308 E ,  H01L 21/30 577 ,  H01L 21/302 H

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 基板表面からのレジストの除去方法並びに装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-135752   出願人：大日本スクリーン製造株式会社
• 特開平3-208899