特許

J-GLOBAL ID：200903094159070301

半導体基板の製造方法、半導体基板及び半導体装置の製造方法

発明者： 江崎 朗
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (3件)： 大胡 典夫 ,  竹花 喜久男 ,  宇治 弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-357488
公開番号（公開出願番号）：特開2005-123425
出願日： 2003年10月17日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：

【課題】 加工精度が高く、量産に適した半導体基板の製造方法、半導体基板及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1の素子形成領域である素子部1bを、ブラスト及び/又はエッチングにより薄化加工する第1の工程と、薄化された前記素子部1bを、さらにポリッシュにより薄化加工する第2の工程を備える。【選択図】 図6

請求項（抜粋）：

半導体基板の素子形成領域である素子部を、ブラスト及び/又はエッチングにより薄化加工する第1の工程と、 薄化された前記素子部を、さらにポリッシュにより薄化加工する第2の工程を備えることを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (4件)：

H01L21/304 ,  B24B37/04 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/329

FI (5件)：

H01L21/304 601S ,  H01L21/304 621B ,  B24B37/04 G ,  H01L29/91 A ,  H01L21/302 104C

Fターム (8件)：

3C058AA07 ,  3C058CB01 ,  3C058DA17 ,  5F004AA11 ,  5F004DA01 ,  5F004DA18 ,  5F004DB01 ,  5F004FA08

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-208065   出願人：株式会社日立製作所