特許
J-GLOBAL ID:200903094163265451

磁気抵抗読取り/誘導書込み磁気ヘッド・アセンブリ及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 坂口 博 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-313094
公開番号(公開出願番号):特開平10-255235
出願日: 1997年11月14日
公開日(公表日): 1998年09月25日
要約:
【要約】【課題】 硬い電気絶縁基板上に形成されかつ静電気放電(ESD)保護を備えた磁気抵抗(MR)読取り/誘導書込み磁気ヘッド・アセンブリを提供する。【解決手段】 MRヘッド・アセンブリ50は、好適にはサファイア又はアルミナ-TiCから形成される硬い電気絶縁基板52と、基板上に形成される複数のアルミナ層54と、アルミナ層の間に配置される磁気抵抗読取り/誘導書込みヘッド56と、基板により支持されるシリコン層58と、ヘッドに対する静電気放電保護を設けるべくシリコン層へ組み込まれかつ磁気抵抗読取り/誘導書込みヘッドと接続される半導体回路60とを有する。シリコン層はサファイア基板の場合は基板上へエピタキシャル成長させられ、アルミナ-TiC基板の場合は基板へ接合される。硬い電気絶縁基板及びアルミナ層によりアセンブリは、ほぼ均一な重なり度とエッチング特性並びに優れた耐久性を具備する硬いエア・ベアリング面62を設けられる。
請求項(抜粋):
硬い電気絶縁基板上に形成されかつ静電気放電保護を備えた磁気抵抗読取り/誘導書込み磁気ヘッド・アセンブリにおいて、硬い電気絶縁基板と、前記基板上に形成される複数のアルミナ層と、前記複数のアルミナ層の間に配置される磁気抵抗読取り/誘導書込みヘッドと、前記基板により支持されるシリコン層と、前記シリコン層へ組み込まれかつ前記磁気抵抗読取り/誘導書込みヘッドと互いに接続された半導体回路とを有する磁気抵抗読取り/誘導書込み磁気ヘッド・アセンブリ。
引用特許:
審査官引用 (1件)

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