特許

J-GLOBAL ID：200903094190328473

薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： チェ ギソン ,  パク ミキュン
出願人/特許権者： エルジー.フィリップス エルシーデー カンパニー,リミテッド
代理人 (8件)： 岡部 正夫 ,  加藤 伸晃 ,  岡部 讓 ,  臼井 伸一 ,  越智 隆夫 ,  本宮 照久 ,  朝日 伸光 ,  三山 勝巳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-104958
公開番号（公開出願番号）：特開2006-295169
出願日： 2006年04月06日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：

【課題】本発明は、平板表示装置に係り、より詳しくは、平板表示装置用薄膜トランジスタ及びその製造方法に関する。【解決手段】本発明は、中央部と両側部を有して、多数の同軸シリコンナノワイヤーを含み、基板上に位置するマルチ同軸シリコンナノワイヤーユニットと;前記中央部上に位置するゲート電極と;前記マルチ同軸シリコンナノワイヤーユニットと電気的に連結されるように、前記両側部各々の上部に位置するソース電極及びドレイン電極とを含む薄膜トランジスタを提供することにより、工程が単純化され製造費用が減少して、素子の動作の特性が改善される。【選択図】図6C

請求項（抜粋）：

中央部と両側部を有して、多数の同軸シリコンナノワイヤーを含み、基板上に位置するマルチ同軸シリコンナノワイヤーユニットと; 前記中央部上に位置するゲート電極と; 前記マルチ同軸シリコンナノワイヤーユニットと電気的に連結されるように、前記両側部各々の上部に位置するソース電極及びドレイン電極とを含む薄膜トランジスタ。

IPC (1件)：

H01L 29/786

FI (4件)：

H01L29/78 618C ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 618B

Fターム (31件)：

5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF12 ,  5F110GG02 ,  5F110GG22 ,  5F110GG30 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HL02 ,  5F110HL22 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 薄膜トランジスタ,電子装置およびフラットパネルディスプレイ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-135144   出願人：三星エスディアイ株式会社