特許
J-GLOBAL ID：200903064022544679
薄膜トランジスタ,電子装置およびフラットパネルディスプレイ装置
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
亀谷 美明
, 金本 哲男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-135144
公開番号（公開出願番号）：特開2006-032906
出願日： 2005年05月06日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：
【課題】 優れた特性を有し,常温で製造可能であり,活性層とソースおよびドレイン電極間のコンタクト抵抗が改善され,多数の異種TFTの同時形成工程を簡単にする薄膜トランジスタおよびこれを備えたフラットパネルディスプレイ装置を提供する。【解決手段】 少なくとも一つのナノ粒子12を有する少なくとも2層のナノ粒子層11a,11bを含む活性層11と,活性層11から絶縁されるゲート電極14と,活性層11のいずれか1層のナノ粒子層11aまたは11bとコンタクトされるソースおよびドレイン電極16と,を含み,ナノ粒子層11a,11b間には絶縁層11cが介在される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
少なくとも一つのナノ粒子を有する少なくとも2層のナノ粒子層を含む活性層と;
前記活性層から絶縁されたゲート電極と;
前記活性層のいずれか1層のナノ粒子層と接するソース電極およびドレイン電極と;を含み,
前記ナノ粒子層間には絶縁層が介在されることを特徴とする,薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L29/78 618B
, H05B33/14 A
, H01L29/78 618E
, H01L29/78 613A
3K007AB18
, 3K007BA06
, 3K007DB03
, 3K007GA00
, 5F110AA03
, 5F110AA16
, 5F110AA17
, 5F110BB02
, 5F110BB04
, 5F110CC01
, 5F110DD01
, 5F110DD04
, 5F110GG01
, 5F110GG02
, 5F110GG03
, 5F110GG04
, 5F110GG16
, 5F110GG19
, 5F110GG22
, 5F110GG25
, 5F110GG42
, 5F110GG44
, 5F110NN03
, 5F110NN27
, 5F110NN72
, 5F110QQ01
, 5F110QQ19
