半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉谷勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-360574
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204291
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】【目的】半導体装置の電気的特性を劣化させることなく、しかも十分な信頼性を確保することができる半導体装置を提供する。【構成】半導体素子20の表面に形成された金属バンプ21の内側に、金属バンプ21と同じ金属材料からなるリング状のダム22を形成することによって、低粘度の封止用樹脂13が半導体素子20の主要回路領域に流れ込むのを防止する。

請求項（抜粋）：

半導体素子がその表面を下側にして基板上に実装され、前記表面に形成された金属バンプと前記基板上に形成されたリードパッドとが電気的に接続される半導体装置において、前記半導体素子は低粘度の樹脂で封止されており、かつ、前記半導体素子は前記封止樹脂の内部への流れ込みを防止する畝状突起(ダム)を備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 , H01L 21/56 , H01L 23/28

引用特許：

審査官引用 (1件)

電子部品装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-218437 出願人：株式会社東芝

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