特許

J-GLOBAL ID：200903094232056568

太陽電池の製造方法

発明者： 増利 賢治 ,  松原 康弘
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-297831
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153980
出願日： 1993年11月29日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：

【要約】【構成】 一導電型不純物を含有する半導体基板の表面部、側面部、及び裏面部に逆導電型不純物を含有する層を形成し、前記半導体基板の裏面側に前記逆導電型不純物を含有する層よりも厚い一導電型不純物を多量に含有する層を形成し、前記半導体基板の表面部及び側面部に反射防止膜を形成し、前記半導体基板表面部の反射防止膜上にレジスト膜を塗布し、前記反射防止膜のうち、レジスト膜が塗布されていない部分を除去し、前記レジスト膜を除去し、前記半導体基板側面部の逆導電型不純物を含有する層を前記反射防止膜をブロキング層として除去する。【効果】 半導体基板側面部の逆導電型不純物を含有する層を反射防止膜をブロッキング層として除去することから、半導体基板側面部の逆導電型不純物を含有する層を比較的安価な苛性溶液で除去できるようになり、エッチング液の廃液処理も容易になる。

請求項（抜粋）：

一導電型不純物を含有する半導体基板の表面部、側面部、及び裏面部に逆導電型不純物を含有する層を形成する工程と、前記半導体基板の裏面側に前記逆導電型不純物を含有する層よりも厚い一導電型不純物を多量に含有する層を形成する工程と、前記半導体基板の表面部及び側面部に反射防止膜を形成する工程と、前記半導体基板表面部の反射防止膜上にレジスト膜を塗布する工程と、前記反射防止膜のうち、レジスト膜が塗布されていない部分を除去する工程と、前記レジスト膜を除去する工程と、前記半導体基板側面部の逆導電型半導体不純物を含有する層を除去する工程を含んで成る太陽電池の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-108579
  
• 太陽電池の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-238095   出願人：三洋電機株式会社