プラズマ処理システム並びにプラズマ処理システムをクリーニングする方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-520917
公開番号（公開出願番号）：特表2001-523887
出願日： 1998年11月13日
公開日（公表日）： 2001年11月27日
要約：

【要約】【課題】高密度プラズマ源の全ての表面での化学的性質を制御する方法並びに装置を提供する【解決手段】半導体ウエハのような基板を処理するためのプラズマ処理システム並びにクリーニングする方法である。このシステムは、内壁並びに外壁を備えた処理チャンバと、この処理チャンバの内壁に熱的に結合された加熱部材と、静電シールドとを有する。また、このシステムは、処理チャンバ内のガスにRFパワーを誘導結合させてプラズマを発生させるように処理チャンバを囲む誘導コイルを有する。RFパワーは、加熱もしくは冷却され得る、静電チャックのようなウエハホルダーに印加され得る。クリーニングのための方法は、バイアスシールドにバイアス電圧を印加し、加熱部材を使用して処理チャンバを加熱し、内面を最大の面から最小の面へと順次クリーニングする。

請求項（抜粋）：

内壁と外壁とを備えた処理チャンバと、この処理チャンバの内壁に熱的に結合された加熱部材と、静電シールドと、この静電シールドと前記加熱部材との間に配置されたバイアスシールドとを具備するプラズマ処理システム。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 , B08B 7/00 , C23C 16/44 , C23C 16/50 , H01L 21/205 , H05H 1/46

FI (6件)：

B08B 7/00 , C23C 16/44 J , C23C 16/50 , H01L 21/205 , H05H 1/46 L , H01L 21/302 B

Fターム (42件)：

3B116AA32 , 3B116BB89 , 3B116BC01 , 3B116CD21 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA06 , 4K030FA01 , 4K030FA04 , 4K030GA02 , 4K030KA08 , 4K030KA12 , 4K030KA20 , 4K030KA22 , 4K030KA30 , 4K030KA39 , 5F004AA01 , 5F004AA15 , 5F004AA16 , 5F004BA20 , 5F004BB22 , 5F004BB25 , 5F004BB26 , 5F004BB28 , 5F004BB29 , 5F004BB32 , 5F004DA00 , 5F004DA22 , 5F045AA08 , 5F045BB15 , 5F045DP03 , 5F045DQ05 , 5F045EB06 , 5F045EC05 , 5F045EH11 , 5F045EH20 , 5F045EJ03 , 5F045EJ04 , 5F045EJ10 , 5F045EK07 , 5F045EK10 , 5F045EM05

引用特許：

審査官引用 (2件)

プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-206315 出願人：富士通株式会社
特開昭61-202423

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