特許
J-GLOBAL ID：200903094266519184

半導体素子、半導体素子の製造方法、および座標入力装置

発明者：
柏川 貴弘

柏川 貴弘 について

, 
武井 文雄

武井 文雄 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-067710
公開番号（公開出願番号）：特開2005-259897
出願日： 2004年03月10日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：
【課題】 小型化および薄板化が容易で、かつ過酷な環境に曝露あるいは保存した場合においても優れた動作信頼性を有する半導体素子等を提供する。【解決手段】 基板11と、基板11上に形成された第1電極12、半導体層13、第2電極14が順次積層した構成とし、半導体層13は、半導体粒子15とカップリング剤を含む結着樹脂16から構成されている。半導体粒子15は、その先端部15aが第1電極12および第2電極14に接触あるいは侵入し、いずれか一方がショットキー接合を形成している。結着樹脂16がカップリング剤により結着樹脂16の分子同士が強固に結合されているので高温環境下における機械特性が向上し、電気特性の安定性が向上する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体粒子と結着樹脂からなる半導体層と、 前記半導体層を挟む第1の電極および第2の電極と、からなる半導体素子であって、 前記結着樹脂にカップリング剤が添加されていることを特徴とする半導体素子。
IPC (3件)：
H01L29/47 ,  G06F3/03 ,  H01L29/872
FI (2件)：
H01L29/48 F ,  G06F3/03 320G
Fターム (19件)：
4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104EE18 ,  4M104GG03 ,  5B068AA21 ,  5B068AA32 ,  5B068BB06 ,  5B068BC13
引用特許：
出願人引用 (3件)

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