特許

J-GLOBAL ID：200903094267096643

半導体不揮発性記憶装置

発明者： 荒瀬 謙士朗
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-026570
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235190
出願日： 1994年02月24日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：

【要約】【目的】消去時間の大幅な延長、しきい値電圧の大幅な低下を抑止しつつ、消去時にソース-基板間に流れる大電流を低減でき、消去特性のバラツキを抑えることができる半導体不揮発性記憶装置を実現する。【構成】NOR型フラッシュEEPROMにおいて、2段階の消去動作を行い、第1段階の消去動作で、より低いソース電圧、たとえば10.5Vを印加して、フローティングゲートFG中の電子をソースより引き抜いて、しきい値電圧VTHを3V程度の中間レベルにまで下げ、続いて、第2段階の消去動作で、より高いソース電圧、たとえば12Vを印加して、フローティングゲートFG中の電子をさらにソースから引き抜いて、しきい値電圧VTHを所望のレベル1〜2Vにまで下げるように構成する。

請求項（抜粋）：

所定の電圧をソースまたはゲートに印加することにより、電荷蓄積層からFNトンネリングによりソースを介して電荷を引き抜き、しきい値を所望のしきい値に遷移させて消去動作を行う半導体不揮発性記憶装置であって、電荷蓄積層の電荷をソースを介して引き抜き、しきい値を書き込み状態時のしきい値と目的のしきい値との中間レベルに遷移させた後、さらに電荷蓄積層の電荷をソースを介して引き抜き、しきい値を中間レベルから目的のしきい値に遷移させる手段を有する半導体不揮発性記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-077523   出願人：株式会社東芝
• 特開平2-126498