特許

J-GLOBAL ID：200903094276877860

半導体の製造方法

発明者： 菅沼 啓一郎
出願人/特許権者： 菅沼 啓一郎
代理人 (1件)： 柳野 隆生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-126008
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335650
出願日： 1994年06月08日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、不良品が発生することなく、精度の高いメッキ処理等を行うことができる半導体の製造方法を提供することを目的としている。【構成】 上方を開放した処理槽1の上方に半導体ウェハーWをその被処理面を下にして保持し、半導体ウェハーWの被処理面に処理液Sを噴流させながら上下電極間に電流を流して半導体ウェハーにメッキ、化成等の処理を施す半導体の製造方法において、定常運転時に、処理液Sの噴流を停止し、半導体ウェハーWの被処理面と処理液Sとの接触を解くことにより、半導体ウェハーWの被処理面に付着する水素ガス等の泡Hを除去するようにしたことを特徴とする方法である。

請求項（抜粋）：

上方を開放した処理槽の上方に半導体ウェハーをその被処理面を下にして保持し、半導体ウェハーの被処理面に処理液を噴流させながら上下電極間に電流を流して半導体ウェハーにメッキ、化成等の処理を施す半導体の製造方法において、定常運転時に、処理液の噴流を停止し、半導体ウェハーの被処理面と処理液との接触を解くことにより、半導体ウェハーの被処理面に付着する水素ガス等の泡を除去するようにしたことを特徴とする半導体の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/50

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-190476
  
• めっき方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-001445   出願人：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
• めっき処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-107201   出願人：日本電気株式会社