特許
J-GLOBAL ID：200903094279804228
磁気変換デバイスの特性解析方法及びプログラム
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 恵一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-215270
公開番号（公開出願番号）：特開2003-030805
出願日： 2001年07月16日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 磁気記録ヘッド等の磁気変換デバイスについても磁化解析が可能な特性解析方法及びプログラムを提供する。【解決手段】 磁気変換デバイスを複数の多面体要素に細分化し、各多面体要素の導電率及び誘電率と1タイムステップ前に算出した過渡的な電界と1/2タイムステップ前に算出した過渡的な磁界と1/2タイムステップ前の電流密度とを用いて各多面体要素の過渡的な電界を算出し、1タイムステップ前に算出した過渡的な磁界と1/2タイムステップ前に算出した過渡的な電界と1タイムステップ前に算出した磁化による磁化電流とを用いて各多面体要素の過渡的な磁界を算出し、算出した過渡的な磁界から実効磁界を算出し、算出した実効磁界を用いて磁化の変分を求めその時の磁化を算出する過渡的計算段階とを備えており、所定数のタイムステップが終了するまで計算を繰り返すことにより解析すべき領域内の全ての多面体要素の電界、磁界及び磁化を求める。
請求項（抜粋）：
解析すべき領域内の磁気変換デバイスの形状を表すデータに少なくとも基づいて、該領域内の磁気変換デバイスを複数の多面体要素に細分化する細分化段階と、前記各多面体要素の導電率及び誘電率と1タイムステップ(Δt)前に算出した過渡的な電界と1/2タイムステップ(Δt/2)前に算出した過渡的な磁界と1/2タイムステップ(Δt/2)前の電流密度とを用いて該各多面体要素の過渡的な電界を算出し、1タイムステップ(Δt)前に算出した過渡的な磁界と1/2タイムステップ(Δt/2)前に算出した過渡的な電界と前記各多面体要素の透磁率とを用いて該各多面体要素の過渡的な磁界を算出し、該算出した過渡的な磁界から求めた磁束密度に応じて前記透磁率を更新する過渡的計算段階とを備えており、所定数のタイムステップが終了するまで前記過渡的計算段階を繰り返すことにより前記解析すべき領域内の全ての多面体要素の電界及び磁界を求めることを特徴とする磁気変換デバイスの特性解析方法。
IPC (2件)：
G11B 5/31
, G06F 19/00 110
G11B 5/31 Z
, G06F 19/00 110
5D033BA01
, 5D033BA80
, 5D033CA10
