GaN系LED素子用の電極、および、それを用いたGaN系LED素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-260318
公開番号（公開出願番号）：特開2009-094107
出願日： 2007年10月03日
公開日（公表日）： 2009年04月30日
要約：

【課題】表表面に微細な凹凸を有するTCO膜で透明電極を形成しながらも、ボンディングパッド用のメタル膜の裏面の光反射性の低下が防止された、GaN系LED素子用の電極を提供すること。【解決手段】GaN系LED素子用の電極は、GaN系半導体膜12の表面に接して形成された透明電極13と、透明電極13上の一部にボンディングパッドとして形成されたメタル膜14と、からなる。透明電極13は、互いに電気的に接続された第1のTCO膜13aと第2のTCO膜13bとからなっており、第1のTCO膜13aおよび第2のTCO膜13bは、その両方が該透明電極13の表面に露出している。第1のTCO膜13aの表面は第2のTCO膜13bの表面よりも平滑であり、メタル膜14は第1のTCO膜13aの表面に形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

GaN系半導体膜の表面に接して形成された透明電極と、該透明電極上の一部にボンディングパッドとして形成されたメタル膜と、からなり、前記透明電極は、互いに電気的に接続された第1のTCO膜と第2のTCO膜とからなっており、該第1のTCO膜および第2のTCO膜は、その両方が該透明電極の表面に露出しており、該第1のTCO膜の表面は該第2のTCO膜の表面よりも平滑であり、前記メタル膜は該第1のTCO膜の表面に形成されている、ことを特徴とするGaN系LED素子用の電極。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 21/28

FI (4件)：

H01L33/00 E , H01L33/00 C , H01L21/28 301B , H01L21/28 301R

Fターム (24件)：

4M104AA04 , 4M104BB36 , 4M104BB38 , 4M104CC01 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD68 , 4M104FF13 , 4M104GG04 , 5F041AA03 , 5F041CA05 , 5F041CA12 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA77 , 5F041CA88 , 5F041CA92 , 5F041CA93 , 5F041CA98 , 5F041FF11

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-073375 出願人：日亜化学工業株式会社
超平坦透明導電膜およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-205941 出願人：科学技術振興事業団, 太田裕道, 折田政寛

審査官引用 (1件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-073375 出願人：日亜化学工業株式会社

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