特許

J-GLOBAL ID：200903015599143974

超平坦透明導電膜およびその製造方法

発明者： 太田 裕道 ,  折田 政寛 ,  細野 秀雄 ,  平野 正浩
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団 ,  太田 裕道 ,  折田 政寛
代理人 (1件)： 西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-205941
公開番号（公開出願番号）：特開2002-025349
出願日： 2000年07月06日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】 有機ELディスプレイ用の透明電極や、酸化物LEDやLD用の透明電極の特性を向上させることができる透明導電膜の提供。【構成】 超平坦化したガラス基板または結晶性基板、例えば、YSZ単結晶基板上に成膜されており、透明導電膜材料の結晶構造を反映したテラス=ステップ構造を有し、平均表面粗さが1nm以下であることを特徴とするITOなどの超平坦透明導電膜。パルス・レーザー蒸着法、スパッタリング法、CVD法、MO-CVD法、またはMBE法のいずれか一つの成膜方法を用いて成膜する際に、基板を800°C〜1500°Cに保持する。熱以外のエネルギーのアシストまたは好ましくない表面吸着種の除去により基板を800°C以下に保持することもできる。

請求項（抜粋）：

超平坦化した基板上に成膜されており、透明導電膜材料の結晶構造を反映したテラス=ステップ構造を有し、平均表面粗さが1nm以下であることを特徴とする超平坦透明導電膜。

IPC (8件)：

H01B 5/14 ,  C23C 14/08 ,  C23C 16/40 ,  H01B 13/00 503 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 33/00 ,  H05B 33/28

FI (10件)：

H01B 5/14 A ,  C23C 14/08 D ,  C23C 16/40 ,  H01B 13/00 503 B ,  H01L 21/285 B ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 Z ,  H01L 33/00 E ,  H05B 33/28

Fターム (50件)：

3K007AB15 ,  3K007CA01 ,  3K007CB01 ,  3K007FA01 ,  4K029AA04 ,  4K029AA09 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029BD00 ,  4K029CA01 ,  4K029DB20 ,  4K029EA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA16 ,  4K030BA42 ,  4K030CA01 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030LA18 ,  4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA10 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104DD35 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD48 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104GG04 ,  4M104GG20 ,  4M104HH20 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5G307FA01 ,  5G307FB01 ,  5G307FC07 ,  5G307FC10 ,  5G323BA02 ,  5G323BA04 ,  5G323BB03 ,  5G323BB04 ,  5G323BB05 ,  5G323BC03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 炭化ケイ素膜付きガラス基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-327792   出願人：ホーヤ株式会社
• 低抵抗ITO薄膜及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-187755   出願人：ホーヤ株式会社