磁気センサの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：谷義一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-336681
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142752
出願日： 2001年11月01日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】【課題】小型でかつ低コストな磁気センサの製造方法を提供する。【解決手段】 LSI製造プロセスとして周知の技術により、信号処理回路を形成する。この時、同時にホール素子部54,55を形成する。次に、スパッタリングによりTi薄膜を堆積させた後、Ni-Fe合金薄膜57を堆積する。次に、ドライフィルムレジストにより磁気収束板に相当するパターン58を開口した状態で形成する。次に、電解鍍金によりNi-Fe合金薄膜を堆積する。次に、ドライフィルムレジスト58、および、これに覆われていたNi-Fe合金薄膜57、および、Ti薄膜を除去し、磁気収束板52,53を形成する。

請求項（抜粋）：

磁束を収束する磁気収束板を備え、前記磁気収束板の端部より漏れる磁束を半導体ホール素子により検出する磁気センサの製造方法であって、前記半導体ホール素子を形成した後、電解鍍金により軟磁性薄膜を堆積して前記磁気収束板を形成することを特徴とする磁気センサの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 43/06 , G01R 33/07 , H01L 43/04 , H01L 43/14

FI (4件)：

H01L 43/06 S , H01L 43/04 , H01L 43/14 , G01R 33/06 H

Fターム (8件)：

2G017AA01 , 2G017AC07 , 2G017AD53 , 2G017AD56 , 2G017AD61 , 2G017AD62 , 2G017AD63 , 2G017AD65

引用特許：

審査官引用 (6件)

磁電変換素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-282884 出願人：株式会社日立製作所
薄膜電流センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-068042 出願人：日本ビクター株式会社
特開平1-241106

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