特許
J-GLOBAL ID：200903094295794194

半導体記憶装置

発明者：
山内 忠昭

山内 忠昭 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-164574
公開番号（公開出願番号）：特開平9-161481
出願日： 1996年06月25日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：
【要約】【課題】 動作するバンク数によらず安定した内部電圧をバンクに供給することが可能な半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 バンクB1が活性化されるとき、HレベルのExt.BAがアドレスバッファ107に入力され、HレベルのInt.BAがVbbポンプ109に、LレベルのInt./BAがVbbポンプ111に出力される。よって、int./RASに同期したクロック信号CLK1によりVbbポンプ109が動作し、バンクB1に基板電圧Vbbが供給される。バンクB2が活性化されるとき、LレベルのExt.BAがアドレスバッファ107に入力され、LレベルのInt.BAがVbbポンプ109に、HレベルのInt./BAがVbbポンプ111に出力され、int./RASに同期したクロック信号CLK1によりVbbポンプ111が動作し、バンクB2に基板電圧Vbbが供給される。
請求項（抜粋）：
バンクアドレス信号に応答して活性化される複数のバンクに分割されたメモリセルアレイと、前記バンクに内部電圧を供給し、前記バンクアドレス信号に応答して内部電圧供給能力が変化する内部電圧供給手段と、を備えた半導体記憶装置。
IPC (5件)：
G11C 11/407 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (3件)：
G11C 11/34 354 F ,  H01L 27/04 B ,  H01L 27/10 681 C
引用特許：
審査官引用 (8件)
  • 特開平3-149867
  • 特開平3-149867
  • 半導体メモリ装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-261558   出願人：日本電気株式会社
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