特許
J-GLOBAL ID：200903094297481185

プラズマ表面処理装置

発明者：
冨岡 和広

冨岡 和広 について

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関根 誠

関根 誠 について

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堀岡 啓治

堀岡 啓治 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-057250
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255782
出願日： 1995年03月16日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：
【要約】【目的】サブハーフミクロンの微細なパターンを良好な形状でもって形成する。【構成】プラズマエッチング装置のバイアス電圧として、通常の高周波バイアス電圧に補正パルスバイアス電圧を重畳させて、被エッチング基体8に照射される電子のエネルギーとイオンのポテンシャルエネルギーとを等しくして、被エッチング基体8をエッチングする。
請求項（抜粋）：
被処理基体の表面をプラズマ処理するところのプラズマ処理容器と、このプラズマ処理容器内に設けられ、前記被処理基体を載置するとともに、バイアス電圧が印加される電極と、前記バイアス電圧として高周波バイアス電圧および補正バイアス電圧を重畳して前記電極に印加するバイアス電圧印加手段と、前記プラズマ処理容器内に導入されたプラズマ源ガスを放電させてプラズマを生成するプラズマ生成手段とを具備してなり、前記プラズマの電位を基準とした場合に、少なくとも前記高周波バイアス電圧が正電圧の期間に、前記補正バイアス電圧として正電圧が重畳されることを特徴とするプラズマ表面処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46
FI (5件)：
H01L 21/302 A ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 L ,  H01L 21/302 B ,  H01L 21/302 J
引用特許：
審査官引用 (3件)

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