特許
J-GLOBAL ID:200903094297805193

微細配線パタ-ンの形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 蔦田 璋子 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-006942
公開番号(公開出願番号):特開平11-317378
出願日: 1999年01月13日
公開日(公表日): 1999年11月16日
要約:
【要約】【課題】 スパッタリングとパターニングによる微細配線パターンの形成方法において、スプラッシュに起因する配線欠陥のないものを提供する。特には、平面表示装置用アレイ基板の製造方法において、高精細化と大型化とを達成するためにアルミニウム系金属からなる微細配線を形成する方法において、スプラッシュに起因する配線欠陥のないものを提供する。【解決手段】スパッタリング装置におけるアノード電極とカソード電極との電位差を570V以下とする。
請求項(抜粋):
絶縁基板上にアルミニウムまたはアルミニウムを70原子%以上含む合金からなる薄膜をスパッタリングにより堆積させる工程と、前記薄膜をパターニングして微細配線パターンを形成する工程とを備えた微細配線パターンの形成方法において、前記スパッタリングは、アノード電極とカソード電極との間の電位差が570V以下の条件に設定されることを特徴とする微細配線パターンの形成方法。
IPC (7件):
H01L 21/285 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/34 ,  G02F 1/136 500 ,  G09F 9/30 337 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/786
FI (7件):
H01L 21/285 S ,  C23C 14/14 B ,  C23C 14/34 R ,  G02F 1/136 500 ,  G09F 9/30 337 ,  H01L 21/88 B ,  H01L 29/78 612 C
引用特許:
審査官引用 (1件)

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