特許

J-GLOBAL ID：200903094302016453

原子注入による半導体基板のキャビティ形成法

発明者： オーベルトン・エルベ、アンドレ・ジャック
出願人/特許権者： エス オー イ テク シリコン オン インシュレータ テクノロジース
代理人 (1件)： 佐藤 正年 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-529747
公開番号（公開出願番号）：特表2002-502122
出願日： 1999年02月01日
公開日（公表日）： 2002年01月22日
要約：

【要約】本発明は、制御された深さで基板にキャビティを形成するように原子注入により基板、特に半導体基板を処理する方法に関し、この方法は、基板内の第1深度において第1の原子濃度を得るために基板内へ第1深度で原子を注入する工程、基板内の第1深度とは異なる第2深度において第1の原子濃度より低い第2の原子濃度を得るために基板内へ第2深度で原子を注入する工程、及び第1深度にキャビティを生成するように第2深度における注入原子の少なくとも一部を第1深度へ移行させる処理を基板上で実行する工程を備えたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

制御された深さで基板(1)にキャビティを形成する目的で原子注入により基板、特に半導体基板を処理する方法であって、 基板(1)内の第1深度において第1の原子濃度を得るために基板内へ第1深度で原子を注入する工程、 基板(1)内の第1深度とは異なる第2深度において第1の原子濃度より低い第2の原子濃度を得るために基板内へ第2深度で原子を注入する工程、及び 第1深度にキャビティを生成するように第2深度における注入原子の少なくとも一部を第1深度へ移行させる処理を基板(1)上で実行する工程、を備えたことを特徴とする、原子注入による半導体基板のキャビティ形成法。

IPC (4件)：

H01L 21/265 ,  H01L 27/12 ,  H01L 33/00 ,  H05B 33/02

FI (4件)：

H01L 27/12 B ,  H01L 33/00 A ,  H05B 33/02 ,  H01L 21/265 Q

Fターム (14件)：

3K007AB18 ,  3K007CA03 ,  3K007DA02 ,  3K007DC05 ,  3K007FA01 ,  3K007FA03 ,  5F041CA22 ,  5F041CA24 ,  5F041CA25 ,  5F041CA57 ,  5F041CA71 ,  5F041CA73 ,  5F041CA77 ,  5F041CB36

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭61-087296
  
• SOI基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-239174   出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社
• 特に電子構成品を含む半導体材料薄膜の製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-092330   出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク