特許

J-GLOBAL ID：200903073705045049

SOI基板の製造方法

発明者： 中嶋 健 ,  中井 哲弥 ,  冨澤 憲治
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-239174
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087668
出願日： 1997年09月04日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】ヘリウムイオン注入後に水素ガスイオン又は水素分子イオンを注入することにより効率的に半導体基板のイオン注入領域に気泡を発生できる。【解決手段】本発明のSOI基板の製造方法では、先ず表面に絶縁層11aが形成された半導体基板11に水素ガスイオン又は水素分子イオン及び希ガスイオンを注入して半導体基板11内部に絶縁層11aに平行なイオン注入領域11bを形成した後に、上記半導体基板11を支持基板12に重ね合せて積層体13を形成する。次に積層体13を所定の温度に昇温して半導体基板11をイオン注入領域11bで厚肉部11c及び薄膜11dに分離する。上記半導体基板11内部への注入イオンは水素ガスイオン又は水素分子イオン及びヘリウムイオンであり、これらのイオンの注入順序はヘリウムイオンを注入した後に水素ガスイオン又は水素分子イオンを注入する。

請求項（抜粋）：

表面に絶縁層(11a)が形成された半導体基板(11)に水素ガスイオン又は水素分子イオン及び希ガスイオンを注入して前記半導体基板(11)内部に前記絶縁層(11a)に平行なイオン注入領域(11b)を形成する工程と、前記半導体基板(11)を支持基板(12)に重ね合せて積層体(13)を形成する工程と、前記積層体(13)を所定の温度に昇温して前記半導体基板(11)を前記イオン注入領域(11b)で厚肉部(11c)及び薄膜(11d)に分離する工程とを含むSOI基板の製造方法において、前記半導体基板(11)内部への注入イオンが前記水素ガスイオン又は前記水素分子イオン及びヘリウムイオンであり、前記イオンの注入順序が前記ヘリウムイオンを注入した後に前記水素ガスイオン又は前記水素分子イオンを注入したことを特徴とするSOI基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265

FI (3件)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265 Q

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 薄い半導体材料フィルムの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-246594   出願人：コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク
• 半導体基体とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-264386   出願人：キヤノン株式会社
• 特開昭63-027063