特許
J-GLOBAL ID:200903094333817624
プラズマ処理方法および装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
作田 康夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-045365
公開番号(公開出願番号):特開2001-313284
出願日: 2001年02月21日
公開日(公表日): 2001年11月09日
要約:
【要約】【課題】デバイス構造起因によって生じるチャージングダメージを抑制し、高精度な表面処理を可能とする。【解決手段】プラズマ発生用高周波電力をオン・オフしてパルス放電を行い、所定の電子/イオン飽和電流比以下となるパルス放電のオフ時間を制御することによって、デバイスパターン疎部・密部への正電荷・負電荷の流入量を制御し、ゲート酸化膜電位を低く抑制して、チャージングダメージのない高精度なエッチングを行う。
請求項(抜粋):
プラズマの生成と基板へのプラズマ中のイオンの入射エネルギとを独立に制御して、前記基板を処理するプラズマ処理方法において、前記プラズマの生成を断続的に行い、少なくともプラズマオフ後の時間を10μ秒設けることを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (6件):
H01L 21/3065
, B01J 19/08
, C23C 16/511
, H01L 21/205
, H01L 21/027
, H05H 1/46
FI (6件):
B01J 19/08 H
, C23C 16/511
, H01L 21/205
, H05H 1/46 C
, H01L 21/302 B
, H01L 21/30 572 A
引用特許:
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