半導体装置の製造方法と製造装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-265749
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092645
出願日： 1995年10月13日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：

【要約】【課題】プラズマを用いた絶縁ゲート型電界効果トランジスタ(IGFET)の製造技術に関し、微細パターンの加工においてもゲート絶縁膜の損傷を防止できる半導体装置の製造方法を提供することである。【解決手段】半導体層、その上に形成され、絶縁耐圧がB(V)であり、厚さが10nm以下であるゲート絶縁膜、その上に形成されたアンテナ比が500以上であるアンテナ構造の導電体層、その上に形成され、アスペクト比が1より大の開口部を有する絶縁体パターンを有する半導体ウエハをプラズマ処理装置内に搬入する工程と、電子温度Te(eV)がTe≦Bであるプラズマ中で前記半導体ウエハを処理する工程とを含む半導体装置の製造方法提供される。

請求項（抜粋）：

半導体装置の製造におけるプラズマ処理において、プラズマ中の電子エネルギ分布、あるいはその代表値である電子温度が予め決められた値よりも小さくなるように、rf周波数、電力、磁場、圧力、ガス種のうち少なくとも1つを制御して、電子が高アスペクト比絶縁体パターン間に存在する導電体パターン内に入れるようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H01L 29/78 , H01L 21/336 , H05H 1/46

FI (5件)：

H01L 21/302 B , C23F 4/00 A , H05H 1/46 A , H01L 21/302 J , H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平3-130370
プラズマ処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-338764 出願人：東京エレクトロン株式会社
ドライエッチング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-330295 出願人：日本電気株式会社

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