特許
J-GLOBAL ID：200903094354026015
半導体装置および半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-071975
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321072
出願日： 1997年03月25日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の製造コストが高くなるという問題点があった。【解決手段】 表面に外部引出電極22が形成されたチップ21と、表面の同一平面上にパッド24、導電路25および外部電極26が形成され、パッド24と外部電極26とが導電路25にて電気的に接続されて成るキャリア23と、外部引出電極22とパッド24とを電気的に接続するワイヤ28と、外部電極26上に、ワイヤ28の形成位置の高さより最上面が高くなるように形成されたハンダバンプ29とを備える。
請求項（抜粋）：
表面に外部引出電極が形成されたチップと、表面の同一平面上にパッド、導電路および外部電極が形成され、上記パッドと上記外部電極とが上記導電路にて電気的に接続されて成るキャリアと、上記外部引出電極と上記パッドとを電気的に接続するワイヤと、上記外部電極上に、上記ワイヤの形成位置の高さより最上面が高くなるように形成されたハンダバンプとを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/60 301
, H01L 21/60 311
, H01L 23/12
H01L 21/60 301 A
, H01L 21/60 311 Q
, H01L 23/12 L
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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