特許

J-GLOBAL ID：200903094354743272

パワーモジュール

発明者： 上 谷 賢 司
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-212135
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044346
出願日： 1999年07月27日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】 高熱密度の半導体素子と低熱密度の半導体素子を高密度実装する、小型で容量単価を低減できるパワーモジュールを提供することである。【解決手段】 本発明のパワーモジュールは、冷媒液が充填された中空部を有し平板面に設けられたスイッチング素子が発生する熱エネルギーを冷媒液に伝達する蒸発部K11と、この蒸発部の端に取り付けられ蒸発部に連続する中空部を有し冷媒液の沸騰による蒸気を介して蒸発部の熱エネルギーが伝達されるとともに外気に熱エネルギーを放出するためのフィンを備えた凝縮部K12と、を有する冷却器K13と、表面に、半導体素子を取り付けるための平板K9と、半導体の発生する熱エネルギーを外気に放出するためのフィンK10と、を有する熱伝導の良好な金属からなる冷却フィンK8と、を備え、冷却フィンと冷却器とを冷却風経路に対して直列に配置すると共に、冷却フィンの排気側と凝縮器の吸気側とを連結した構成となっている。

請求項（抜粋）：

内部に冷媒液が充填され、平板面に設けられたスイッチング素子が発生する熱エネルギーを前記冷媒液に伝達する蒸発部と、前記冷媒液の沸騰による蒸気を介して前記蒸発部の熱エネルギーが伝達されるとともに外気に前記熱エネルギーを放出するフィンを備えた凝縮部と、を有する冷却器と、半導体素子を取り付ける平板と、前記半導体素子の発生する熱エネルギーを外気に放出するフィンと、を有する冷却フィンと、を備え、前記冷却フィンと前記冷却器とを冷却風経路に対して直列に配置すると共に、前記冷却フィンの排気側と前記凝縮部の吸気側とを連結したことを特徴とするパワーモジュール。

IPC (4件)：

H01L 23/427 ,  H05K 7/20 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (3件)：

H01L 23/46 A ,  H05K 7/20 H ,  H01L 25/04 C

Fターム (15件)：

5E322AA01 ,  5E322AA11 ,  5E322BA01 ,  5E322BA03 ,  5E322BB03 ,  5E322DB06 ,  5E322FA01 ,  5F036AA01 ,  5F036BA08 ,  5F036BA23 ,  5F036BB05 ,  5F036BB33 ,  5F036BB35 ,  5F036BB53 ,  5F036BB56

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-000192   出願人：株式会社東芝