特許
J-GLOBAL ID：200903094366224947
半導体集積回路の製造方法及びその製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-132855
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326087
出願日： 1993年05月11日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：
【要約】【目的】 膜の緻密性を確保した上で、成膜速度を速めることができる半導体集積回路の製造方法及びその製造装置を提供する。【構成】 テトラエトキシシラン3とオゾン4を、それらの混合気体が大気圧よりも高い圧力になるように供給する反応ガス供給手段1,2と、反応容器10内に配置された半導体基板6を加熱する加熱手段5と、を備えている。層間絶縁膜を成膜する際に、大気圧よりも高い圧力のテトラエトキシシラン3及びオゾン4の混合気体で半導体基板6上に熱気相成長法によって層間絶縁膜を成膜する。テトラエトキシシラン3及びオゾン4の流量を増加させた場合でも、気相中における重合反応が十分に進行する。膜の緻密性を確保しながら、その成膜速度を速くすることができる。
請求項（抜粋）：
半導体集積回路の製造工程において、層間絶縁膜を成膜する際、テトラエトキシシランとオゾンの混合気体を、反応容器内に大気圧よりも高い圧力まで導入し、基板上に熱気相成長法によって成膜することを特徴とする半導体集積回路の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316
, H01L 21/31
, H01L 21/90
