電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：日向寺雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-301880
公開番号（公開出願番号）：特開2008-118044
出願日： 2006年11月07日
公開日（公表日）： 2008年05月22日
要約：

【課題】特性の安定性が高い電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板2上にバッファ層3、アンドープGaN層4、AlGaN層5及びSiC層9をこの順に形成する。SiC層9のキャリア濃度は1×1017cm-3以上とし、抵抗率は10mΩcm(ミリオーム・センチメートル)以下とする。次に、SiC層9に対してSF6ガスにより反応性イオンエッチングを施し、SiC層9をパターニングする。そして、AlGaN層5上に保護膜10を形成した後、SiC層9上にソース電極6及びドレイン電極7を形成し、AlGaN層5上にゲート電極8を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に設けられたGaN層と、前記GaN層上に設けられ、AlGaN、InAlN又はInAlGaNからなるバリア層と、前記バリア層上に設けられたSiC層と、前記バリア層上に設けられたソース電極、ドレイン電極及びゲート電極と、を備えたことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 29/78 , H01L 29/786 , H01L 29/06

FI (7件)：

H01L29/80 H , H01L29/78 301B , H01L29/78 618B , H01L29/78 616V , H01L29/78 616U , H01L29/80 Q , H01L29/06 301F

Fターム (62件)：

5F102FA03 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GN02 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GR10 , 5F102GR12 , 5F102GR13 , 5F102GS02 , 5F102GT01 , 5F102GV07 , 5F102GV08 , 5F102HC01 , 5F110AA01 , 5F110CC01 , 5F110DD01 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE15 , 5F110FF03 , 5F110GG04 , 5F110GG12 , 5F110GG19 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK08 , 5F110HK13 , 5F110HK22 , 5F140AA00 , 5F140AC36 , 5F140BA02 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BB01 , 5F140BB18 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD18 , 5F140BF05 , 5F140BF17 , 5F140BF21 , 5F140BF25 , 5F140BF44 , 5F140BH06 , 5F140BH27 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置及び半導体レーザ装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-073148 出願人：松下電器産業株式会社

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