特許

J-GLOBAL ID：200903031408990317

半導体装置及び半導体レーザ装置の製造方法

発明者： 神田 敦彦 ,  池田 義人 ,  廣瀬 裕
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (6件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  原田 智雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-073148
公開番号（公開出願番号）：特開2005-260172
出願日： 2004年03月15日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：

【課題】エッチングによる半導体層への残存ダメージがなく、高周波特性及び高出力特性に優れた半導体装置及び半導体レーザ装置を容易に得ることを可能とする。 【解決手段】基板1の上にIII-V族窒化物半導体からなる半導体層11を積層し、半導体層11をエッチングすることによりゲートリセス5aを形成する。その後、半導体層11の上にシリコン膜6を堆積し、シリコン膜6と共に半導体層11を熱処することにより半導体層11に生じるエッチングダメージを回復させる。これにより高周波特性及び高出力特性が改善されたIII-V族窒化物系電子デバイスを用意に製造することが可能となる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板の上にIII-V族窒化物半導体からなる半導体層を積層する半導体層積層工程と、 前記半導体層をエッチングするエッチング工程と、 前記エッチング工程の後に、前記半導体層の上に保護膜を堆積し、堆積された保護膜と共に前記半導体層を熱処理するダメージ回復工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (9件)：

H01L21/3065 ,  H01L21/28 ,  H01L21/324 ,  H01L21/331 ,  H01L21/338 ,  H01L29/737 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

FI (8件)：

H01L21/302 105A ,  H01L21/28 A ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/324 C ,  H01L29/80 F ,  H01L29/72 H ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 618B

Fターム (100件)：

4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104FF02 ,  4M104FF13 ,  4M104FF27 ,  4M104GG04 ,  4M104GG06 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG12 ,  4M104GG14 ,  5F003BA92 ,  5F003BB04 ,  5F003BE04 ,  5F003BE90 ,  5F003BF06 ,  5F003BM02 ,  5F003BM03 ,  5F003BP11 ,  5F003BP12 ,  5F003BP41 ,  5F003BP94 ,  5F003BZ02 ,  5F003BZ03 ,  5F004AA07 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA13 ,  5F004DA16 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB14 ,  5F004EB02 ,  5F004EB08 ,  5F004FA01 ,  5F004FA08 ,  5F102GA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GR04 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15 ,  5F102HC21 ,  5F110AA14 ,  5F110AA27 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110EE43 ,  5F110FF04 ,  5F110FF21 ,  5F110FF27 ,  5F110GG04 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG24 ,  5F110GG35 ,  5F110GG44 ,  5F110HK11 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK34 ,  5F110HM02 ,  5F110NN65 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ14 ,  5F140AA26 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BA09 ,  5F140BA16 ,  5F140BA17 ,  5F140BB03 ,  5F140BC17 ,  5F140BD09 ,  5F140BE06 ,  5F140BF42 ,  5F140BF44 ,  5F140BG30 ,  5F140BG36 ,  5F140BH05 ,  5F140CE02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-373947   出願人：富士通株式会社

審査官引用 (8件)

• 損失導波型半導体レーザー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-221249   出願人：ゼロックスコーポレイション
• 電界効果型化合物半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-164908   出願人：富士通株式会社
• MIS型半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-282027   出願人：ソニー株式会社
• ヘテロ接合電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-142221   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-139483   出願人：ソニー株式会社
• 窒化シリコン膜の形成方法、ゲート絶縁膜の形成方法及びp形半導体素子の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-306153   出願人：ソニー株式会社
• アレイ基板の製造方法及びそれを用いた液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-300064   出願人：松下電器産業株式会社
• III族窒化物半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-265854   出願人：日本電気株式会社