特許

J-GLOBAL ID：200903094371613900

トレンチ素子分離領域を有する半導体装置の製造方法

発明者： 丸尾 豊
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-007179
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208611
出願日： 1999年01月14日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】 トレンチ素子分離領域の絶縁層の埋め込みが良好に行われる、トレンチ素子分離領域を有する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明のトレンチ素子分離領域23を有する半導体装置の製造方法は、以下の工程を含む。シリコン基板10上に、パッド層12、ストッパ層14および所定のパターンを有するレジスト層R1を順次形成する工程;レジスト層R1をマスクとして、ストッパ層14の表面に対して斜めの方向から、酸素系物質をストッパ層14にイオン注入する工程;ストッパ層14およびパッド層12をエッチング工程;シリコン基板10をエッチングし、トレンチ16を形成する工程;熱酸化により、ストッパ層14の端部14aにおいて、保護膜90を形成する工程;トレンチ16を充填する絶縁層20を全面に形成し、絶縁層20を平坦化する工程;ストッパ層14を除去する工程;突出部22と、保護膜90とをエッチングして、トレンチ素子分離領域23を形成する工程。

請求項（抜粋）：

以下の工程(a)〜(k)を含むトレンチ素子分離領域を有する半導体装置の製造方法。(a)シリコン基板の表面にパッド層を形成する工程、(b)前記パッド層の表面に、化学的機械的研磨のためのストッパ層を形成する工程、(c)前記ストッパ層の表面に、所定のパターンを有するレジスト層を形成する工程、(d)前記レジスト層をマスクとして、前記ストッパ層の表面に対して斜めの方向から、酸素系物質を該ストッパ層にイオン注入する工程、(e)前記レジスト層をマスクとして、前記ストッパ層および前記パッド層をエッチングしてパターニングする工程、(f)前記ストッパ層をマスクとして、前記シリコン基板をエッチングし、素子分離溝を形成する工程、(g)熱酸化により、該ストッパ層の端部において、保護膜を形成する工程、(h)前記素子分離溝を充填する絶縁層を全面に形成する工程、(i)化学的機械的研磨法により、前記ストッパ層をストッパとして、前記絶縁層を平坦化する工程、(j)前記ストッパ層を除去する工程、(k)前記シリコン基板の素子が形成される領域の表面のレベルより突出した、前記絶縁層の部分と、前記保護膜とをエッチングして、トレンチ素子分離領域を形成する工程。

IPC (2件)：

H01L 21/76 ,  H01L 27/08 331

FI (2件)：

H01L 21/76 L ,  H01L 27/08 331 D

Fターム (31件)：

5F032AA35 ,  5F032AA36 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032CA03 ,  5F032CA17 ,  5F032CA20 ,  5F032DA02 ,  5F032DA04 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA25 ,  5F032DA26 ,  5F032DA30 ,  5F032DA33 ,  5F032DA43 ,  5F032DA53 ,  5F032DA60 ,  5F032DA77 ,  5F032DA78 ,  5F048AA04 ,  5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BG14 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体素子の浅溝(STI)の隔離方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-053037   出願人：エルジーセミコンカンパニーリミテッド