特許

J-GLOBAL ID：200903094382254082

交換結合素子及びその製造方法、磁気抵抗効果素子並びに磁気ヘッド

発明者： 屋上 公二郎 ,  采山 和弘 ,  角田 匡清 ,  高橋 研
出願人/特許権者： 高橋 研
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP1999002149
公開番号（公開出願番号）：WO2000-065577
出願日： 1999年04月22日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】耐食性に優れ、高い一方向異方性定数JKとブロッキング温度TBを有し、かつ、反強磁性体層の膜厚を10nm以下としても諸特性を維持でき、スピンバルブ膜の薄型化が図れる交換結合素子及びその製造方法等を提供することを目的とする。本発明の交換結合素子は、強磁性体層と、前記強磁性体層の一方の表面に隣接し該強磁性体層と交換結合している反強磁性体層とを少なくとも備えた交換結合素子において、前記反強磁性体層は30at%以上54at%以下のイリジウム(Ir)と残部マンガン(Mn)からなるMn-Ir合金であり、前記強磁性体層と前記反強磁性体層からなる交換結合素子の界面に誘導される一方向異方性定数JKが室温かつ成膜後で0.06erg/cm2以上であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

強磁性体層と、前記強磁性体層の一方の表面に隣接し該強磁性体層と交換結合している反強磁性体層とを少なくとも備えた交換結合素子において、 前記反強磁性体層は30at%以上54at%以下のイリジウム(Ir)と残部マンガン(Mn)からなるMn-Ir合金であり、 前記強磁性体層と前記反強磁性体層からなる交換結合素子の界面に誘導される一方向異方性定数JKが室温かつ成膜後で0.06erg/cm2以上であることを特徴とする交換結合素子。

IPC (1件)：

G11B 5/39