特許

J-GLOBAL ID：200903094393591390

マイクロ波プラズマ処理装置、マイクロ波プラズマ処理方法及び構造体の製造方法

発明者： 鈴木 伸昌
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-136011
公開番号（公開出願番号）：特開2003-332241
出願日： 2002年05月10日
公開日（公表日）： 2003年11月21日
要約：

【要約】【課題】 反射電力を制限して広い条件範囲で容易に放電を生じさせることができるマイクロ波プラズマ処理装置、マイクロ波処理方法及び構造体の製造方法を提供する。【解決手段】 マイクロ波電源より所望の電力をプラズマ処理室内に供給すると、反射制限スロット110を介して無終端環状導波管118内に導入されたマイクロ波は、E分岐111で左右に2分配されて伝搬する。分配されたマイクロ波同士が干渉し、管内波長の1/2毎に定在波112の“腹”が生じる。そして、表面電流を横切るように設けられたスロット113を介し誘電体窓107を透過してプラズマ処理室にマイクロ波が導入される。無終端環状導波管118内に入射したマイクロ波の一部が電源方向に反射成分として戻るが、反射制限スロット110により、反射側電力は入射側電力の1/2倍未満に制限される。

請求項（抜粋）：

プラズマ処理室と、前記プラズマ処理室内に設けられ、被処理基体が載置される被処理基体載置手段と、前記被処理基体載置手段と対向して配置された誘電体窓と、前記誘電体窓を透過させてマイクロ波を前記プラズマ処理室内に導入するマイクロ波導入手段と、を有するマイクロ波プラズマ処理装置において、前記マイクロ波導入手段は、導波路と、マイクロ波を前記導波路内に導入するマイクロ波導入口と、前記マイクロ波導入口に入射波電力が反射波電力の2倍以上となるように設けられた反射制限スロットと、を有することを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/511 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/511 ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/302 101 D

Fターム (32件)：

4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA07 ,  4K030FA01 ,  4K030KA30 ,  4K030KA46 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BB14 ,  5F004BB18 ,  5F004BB32 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB02 ,  5F004DB26 ,  5F004EB08 ,  5F045AA09 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC15 ,  5F045AD07 ,  5F045AE07 ,  5F045BB08 ,  5F045DP02 ,  5F045DQ10 ,  5F045EH03

引用特許：

審査官引用 (1件)

• プラズマ処理装置およびその方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-078934   出願人：株式会社日立製作所