特許
J-GLOBAL ID：200903094402604557
微細パターン形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-151530
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326358
出願日： 1992年05月18日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】 微細コンタクトホールの形成方法において、矩形のホール13を角部が丸くならないように正確に形成し、且つ製造工程を減らす。【構成】 被エッチング物2上のネガ型フォトレジスト3層を、線状遮光膜5・5が互いに交差するマスク4、8を用いての2回の露光工程により露光し、その後、現像し、しかる後、上記ネガ型フォトレジスト層3をマスクとして上記被エッチング物2をエッチングする。
請求項（抜粋）：
線状遮光膜を有するマスクを介して被エッチング物上のネガ型フォトレジスト層を露光する第1回目の露光工程と、上記マスクの遮光膜と交差する線状遮光膜を有する別のマスクを介して上記ネガ型フォトレジスト層を露光する第2回目の露光工程と、上記ネガ型フォトレジスト層を現像する工程と、現像された上記ネガ型フォトレジスト層をマスクとして上記被エッチング物をエッチングする工程と、を有することを特徴とする微細パターン形成方法
IPC (6件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
, G03F 7/26
, H01L 21/28
, H01L 21/302
, H01L 21/3205
H01L 21/30 301 C
, H01L 21/30 361 S
, H01L 21/88 F
