特許

J-GLOBAL ID：200903094436445270

炭化珪素単結晶インゴットおよびその製造方法ならびに炭化珪素単結晶育成用マスク

発明者： 大谷 昇 ,  勝野 正和 ,  藍郷 崇 ,  矢代 弘克
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-105133
公開番号（公開出願番号）：特開2001-294498
出願日： 2000年04月06日
公開日（公表日）： 2001年10月23日
要約：

【要約】【課題】 この発明は、低欠陥大口径の単結晶炭化珪素ウエハを取り出せる炭化珪素単結晶の製造方法を提供することをその目的とする。【解決手段】 種結晶を用いた昇華再結晶法により炭化珪素単結晶を成長させる際に、種結晶上にマスクを施し、そのマスク越しに炭化珪素単結晶を成長させることにより高品質な炭化珪素単結晶インゴットを得る。

請求項（抜粋）：

昇華再結晶法により種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる工程を包含する炭化珪素単結晶の製造方法であって、前記種結晶上にマスクを施した後、該マスク越しに炭化珪素単結晶を成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/36 ,  C30B 23/00 ,  H01L 21/203

FI (3件)：

C30B 29/36 A ,  C30B 23/00 ,  H01L 21/203 Z

Fターム (13件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077EG24 ,  4G077HA12 ,  5F103AA01 ,  5F103AA10 ,  5F103DD17 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103PP08 ,  5F103RR06

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 大サイズ単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-156171   出願人：エアー.プロダクツ.アンド.ケミカルス.インコーポレーテッド
• 炭化珪素単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-231251   出願人：株式会社デンソー