特許
J-GLOBAL ID:200903094469336239
半導体製造装置用ウェハ保持体およびそれを搭載した半導体製造装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
中野 稔
, 服部 保次
, 山口 幹雄
, 二島 英明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-033330
公開番号(公開出願番号):特開2004-247387
出願日: 2003年02月12日
公開日(公表日): 2004年09月02日
要約:
【課題】ウェハ搭載面を有するウェハ保持体のウェハ保持面の均熱性を高めた半導体製造用ウェハ保持体およびそれを搭載した半導体製造装置を提供する。【解決手段】ウェハ搭載面4を有するウェハ保持体1のウェハ搭載面に平面部を有する多数の突起2が形成され、突起2の平面部の面積を、1個あたり70mm2以下にすれば、搭載したウェハ表面の温度分布を±1.0%以内にすることができる。更に、前記面積は、30mm2以下であれば温度分布を±0.5%以内にすることができる。また、突起2の平面部の総面積を搭載するウェハの面積の40%以下にすれば、ウェハ脱着時の問題発生を抑制することができるので好ましい。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
ウェハ搭載面を有するウェハ保持体のウェハ搭載面に平面部を有する多数の突起が形成され、前記突起の平面部の面積が、1個あたり70mm2以下であることを特徴とする半導体製造装置用ウェハ保持体。
IPC (4件):
H01L21/02
, H01L21/265
, H01L21/68
, H05B3/74
FI (4件):
H01L21/02 Z
, H01L21/265 603D
, H01L21/68 N
, H05B3/74
Fターム (26件):
3K092PP20
, 3K092QA05
, 3K092QB04
, 3K092QB31
, 3K092QB62
, 3K092QB68
, 3K092QB74
, 3K092QB76
, 3K092QC02
, 3K092QC25
, 3K092RF03
, 3K092RF11
, 3K092RF26
, 3K092SS18
, 3K092SS28
, 3K092SS34
, 3K092SS42
, 3K092VV22
, 5F031CA02
, 5F031HA02
, 5F031HA03
, 5F031HA08
, 5F031HA37
, 5F031HA50
, 5F031PA11
, 5F031PA20
引用特許:
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