半導体基板並びに電極の形成方法及び太陽電池の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-217439
公開番号（公開出願番号）：特開2008-042095
出願日： 2006年08月09日
公開日（公表日）： 2008年02月21日
要約：

【課題】半導体基板上に、コンタクト抵抗、配線抵抗をともに小さくし、半導体基板との接着強度、ハンダを介した配線との接着強度を十分に有する電極を形成することを目的とする。【解決手段】少なくとも、電極が形成された半導体基板であって、前記電極は二層以上の多層構造を有するものであり、前記多層構造のうち、少なくとも前記半導体基板に直接接合する第一電極層は、少なくとも、銀と、ガラスフリットとを含有し、添加物としてTi、Bi、Zr、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Si、Al、Ge、Sn、Pb、Znの酸化物のうち少なくとも一種を含有するものであり、前記第一電極層上に形成される電極層のうち、少なくとも配線と接合される最表層の電極層は、少なくとも銀とガラスフリットとを含有し、前記添加物を含有しないものである半導体基板。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも、電極が形成された半導体基板であって、前記電極は二層以上の多層構造を有するものであり、前記多層構造のうち、少なくとも前記半導体基板に直接接合する第一電極層は、少なくとも、銀と、ガラスフリットとを含有し、添加物としてTi、Bi、Zr、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Si、Al、Ge、Sn、Pb、Znの酸化物のうち少なくとも一種を含有するものであり、前記第一電極層上に形成される電極層のうち、少なくとも配線と接合される最表層の電極層は、少なくとも銀とガラスフリットとを含有し、前記添加物を含有しないものであることを特徴とする半導体基板。

IPC (3件)：

H01L 21/28 , H01L 21/288 , H01L 31/04

FI (3件)：

H01L21/28 301R , H01L21/288 Z , H01L31/04 H

Fターム (24件)：

4M104BB08 , 4M104BB38 , 4M104BB39 , 4M104DD51 , 4M104DD79 , 4M104FF13 , 4M104GG05 , 4M104GG20 , 4M104HH16 , 5F051AA02 , 5F051AA03 , 5F051AA16 , 5F051BA11 , 5F051CB12 , 5F051CB13 , 5F051CB27 , 5F051DA03 , 5F051FA10 , 5F051FA13 , 5F051FA15 , 5F051FA18 , 5F051GA04 , 5F051GA14 , 5F051HA03

引用特許：

出願人引用 (3件)

太陽電池素子の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-130758 出願人：京セラ株式会社, 昭栄化学工業株式会社
太陽電池素子およびその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-019537 出願人：京セラ株式会社
太陽電池素子とその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-362272 出願人：京セラ株式会社, 日本アルミット株式会社

審査官引用 (9件)

特開昭59-167056
太陽電池素子の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-130758 出願人：京セラ株式会社, 昭栄化学工業株式会社
特開昭59-167056

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