太陽電池素子の形成方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：田原勝彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-130758
公開番号（公開出願番号）：特開2001-313400
出願日： 2000年04月28日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：

【要約】【課題】電極材料を反射防止膜上から焼き付けて形成する際に、安定的なオーミック接触が得られず、電極強度が弱くモジュール化に対応できないという従来の問題点を解消した太陽電池素子の形成方法を提供する。【解決手段】一導電型を呈する半導体基板の一主面側に他の導電型を呈する領域を形成すると共に、この半導体基板の一主面側に反射防止膜を形成し、この反射防止膜上と前記半導体基板の他の主面側に銀粉末、有機ビヒクル、およびガラスフリットから成る電極材料を焼き付ける太陽電池素子の形成方法において、前記電極材料が、Ti、Bi、Co、Zn、Zr、Fe、Cr成分のうちのいずれか一種または複数種を含有する。

請求項（抜粋）：

一導電型を呈する半導体基板の一主面側に他の導電型を呈する領域を形成すると共に、この半導体基板の一主面側に反射防止膜を形成し、この反射防止膜上と前記半導体基板の他の主面側に銀粉末、有機ビヒクル、およびガラスフリットから成る電極材料を焼き付ける太陽電池素子の形成方法において、前記反射防止膜上に焼き付ける電極材料が、Ti、Bi、Co、Zn、Zr、Fe、Cr成分のうちのいずれか一種または複数種を含有することを特徴とする太陽電池素子の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 , H01L 21/283

FI (3件)：

H01L 21/283 A , H01L 31/04 H , H01L 31/04 F

Fターム (14件)：

4M104BB08 , 4M104CC01 , 4M104DD51 , 4M104DD79 , 4M104EE17 , 4M104GG05 , 4M104HH09 , 4M104HH15 , 5F051AA02 , 5F051DA03 , 5F051FA10 , 5F051FA13 , 5F051GA04 , 5F051HA03

引用特許：

審査官引用 (11件)

太陽電池用導電性組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-045633 出願人：株式会社村田製作所
積層電子部品の外部電極用卑金属組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-251490 出願人：株式会社村田製作所
特公昭61-059546

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