特許
J-GLOBAL ID：200903094486085975
露光マスク基板製造方法、露光マスク製造方法、及び半導体装置製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-155936
公開番号（公開出願番号）：特開2004-361432
出願日： 2003年05月30日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：
【課題】所望の平坦度を有する露光マスク基板を製造すること。【解決手段】遮光膜を形成する前の基板の平坦度を測定する第1の測定工程(S101)と、この測定結果から、基板を露光装置にチャックしたときの基板の平坦度を予測する第1の予測工程(S103)と、この予測結果から、所定の平坦度を有する基板を選択する選択工程(S104)と、この選択工程で選択された基板に対する予測工程であり、基板に遮光膜を形成した後の基板の所望の平坦度を予測する第2の予測工程(S105)と、選択工程で選択された基板に遮光膜を形成する成膜工程(S106)と、この成膜工程で遮光膜を形成された基板の平坦度を測定する第2の測定工程(S107)と、この測定結果と第2の予測工程の結果とを比較し、遮光膜を形成された基板が前記所望の平坦度を得ることが可能か否かを判定する判定工程(S109)と、を有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と該基板上に形成した遮光膜とからなる露光マスク基板の製造方法において、
遮光膜を形成する前の少なくとも1つの基板の平坦度を測定する第1の測定工程と、
この第1の測定工程の結果から、前記基板を露光装置にチャックしたときの前記基板の平坦度を予測する第1の予測工程と、
この第1の予測工程の結果から、所定の平坦度を有する前記基板を選択する選択工程と、
この選択工程で選択された前記基板に対する予測工程であり、前記基板に遮光膜を形成した後の前記基板の所望の平坦度を予測する第2の予測工程と、
前記選択工程で選択された前記基板に遮光膜を形成する成膜工程と、
この成膜工程で遮光膜を形成された前記基板の平坦度を測定する第2の測定工程と、
この第2の測定工程の結果と前記第2の予測工程の結果とを比較し、前記遮光膜を形成された基板が前記所望の平坦度を得ることが可能か否かを判定する判定工程と、
を有することを特徴とする露光マスク基板製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F1/08 B
, H01L21/30 502P
