窒化ガリウム系半導体素子の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：工業技術院電子技術総合研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-236848
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068608
出願日： 1998年08月24日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：

【要約】【課題】本発明は、ドライエッチングに見られるようなダメージがなく、陽極化技術や光照射技術等を併用する必要のない窒化ガリウム素材のウエットエッチング技術を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の窒化ガリウム系半導体素子の製造方法は、ピロリン酸を用いたウエットエッチングにより、窒化ガリウム素材を加工し、パターニングする。その際、ピロリン酸に耐性を持つマスク用薄膜として、酸化珪素膜を用いることができる。

請求項（抜粋）：

窒化ガリウムを素材として含む窒化ガリウム系半導体素子の製造方法において、ピロリン酸を用いたウエットエッチングにより、窒化ガリウム素材を加工することを特徴とする窒化ガリウム系半導体素子の製造方法

IPC (3件)：

H01S 5/323 , H01L 21/308 , H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 673 , H01L 21/308 C , H01L 33/00 C

Fターム (10件)：

5F041CA40 , 5F041CA74 , 5F043AA13 , 5F043BB06 , 5F043CC05 , 5F043DD07 , 5F043FF10 , 5F043GG10 , 5F073CA02 , 5F073DA23

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭50-113500
特開昭50-042780
特開昭59-098567

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