半導体メモリ

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-062454
公開番号（公開出願番号）：特開平9-259589
出願日： 1996年03月19日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】メモリセルから読みだされたデータを増幅するセンスアンプの活性化信号のタイミングを、ビット線の充放電時間の変動に追従するように補償する。【解決手段】センスアンプを活性化する信号を、ダミービット線の信号に基づいて発生させる構成の半導体メモリに於いて、上記ダミービット線にダミーメモリセルを接続することにより、ダミービット線の寄生容量と、その充放電電流が、ビット線の寄生容量と、その充放電電流の変動を補償するようにする。【効果】センスアンプ活性化信号がビット線の充放電時間の変動を補償するため、必要なタイミングマージンを減少することができ、アクセス時間を短縮できる。

請求項（抜粋）：

メモリセルから読みだされたデータを増幅するセンスアンプを活性化する信号を、ダミービット線の信号に基づいて発生させる構成の半導体メモリに於いて、上記ダミービット線にダミーメモリセルを接続したことを特徴とする半導体メモリ。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-122898
特開平3-122898
特開平2-201797

全件表示

前のページに戻る