テラヘルツ電磁波発生装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：岩橋文雄 , 坂口智康 , 内藤浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-335641
公開番号（公開出願番号）：特開2006-145372
出願日： 2004年11月19日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：

【課題】テラヘルツ波を通信応用など、空間の伝送に用いるためにはより強力な電磁波が放射される必要がある。また、測定器として用いる場合にも1〜3THzの領域で電磁波強度が十分でないとS/Nがとれず測定値の信頼性が危うくなる。そこで、より高出力かつ広帯域なテラヘルツ帯電磁波発生装置が必要となる。【解決手段】前記目的を達成するためにはまず、印加電圧を高める必要があり、そのために放射アンテナ材料のエネルギーギャップをLT-GaAsのもつ1.42eV以上とし、レーザー波長をその材料に合わせて800nmよりも短いものを使用する。このことによって印加電圧を15V以上とすることができ、レーザー光強度を15mW以上にして電磁波放射を行う。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

超短パルス光を放射する光源と、電磁波放射用アンテナとを備えたテラヘルツ波発生装置であって、前記電磁波放射用アンテナは、半絶縁性基板と、前記半絶縁性基板上に形成され、1.42eV以上のバンドギャップエネルギーを有している光伝導薄膜と、コプラナー伝送線路とを有し、前記コプラナー伝送線路は、一対の伝送線路電極本体と、前記各伝送線路電極本体からそれぞれ突出する突起電極とを有し、前記一対の伝送線路本体は平行に配置されており、前記突起電極は互いに向かい合っており、電極間への印加電界強度は3×104V/cmよりも大きい電界であって、前期突起電極間に波長800nm未満であり、かつ平均強度が20mWよりも大きい超短パルス光を光源より照射することによって電磁波を発生させることを特徴とするテラヘルツ電磁波発生装置。

IPC (2件)：

G01N 21/01 , G01N 21/35

FI (2件)：

G01N21/01 D , G01N21/35 Z

Fターム (14件)：

2G059AA02 , 2G059BB16 , 2G059EE01 , 2G059GG08 , 2G059GG10 , 2G059HH01 , 2G059HH06 , 2G059JJ11 , 2G059JJ13 , 2G059JJ14 , 2G059JJ22 , 2G059JJ30 , 2G059KK01 , 2G059MM01

引用特許：

出願人引用 (4件)

テラヘルツ帯複素誘電率測定装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-196723 出願人：科学技術振興事業団
特開昭62-281477号公報
特開昭62-196876号公報

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