特許
J-GLOBAL ID：200903094540500592
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池田 治幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-075127
公開番号（公開出願番号）：特開2005-268329
出願日： 2004年03月16日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：
【課題】 光取り出し効率が高い半導体発光素子を提供する。【解決手段】 半導体基板12上にエピタキシャル層14が積層され、そのエピタキシャル層14の半導体基板12とは反対側の面である素子上面24および積層方向に平行な素子側面30から光が出力され、素子側面30には粗面化処理がされているが、素子上面24には粗面化処理がされていない半導体発光素子10において、素子側面30の長さ(高さ)を長くする。このようにすると、全発光面の面積に対して、粗面化処理されている面である素子側面30の面積割合が大きくなるので、高い光取り出し効率が得られる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上にエピタキシャル層が積層され、積層方向に平行な素子側面および該エピタキシャル層の前記半導体基板とは反対側の面である素子上面から光が出力される半導体発光素子において、前記素子側面には粗面化処理がされているが、前記素子上面には粗面化処理がされていない半導体発光素子であって、
前記積層方向における前記素子側面の長さが、前記素子上面の最大長さの1/3よりも長くされていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5F041AA03
, 5F041AA04
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA74
